Вышедшие номера
Механизмы высокотемпературной голографической записи в материалах состава As--S
Тюрин А.В.1, Попов А.Ю.1, Мандель В.Е.1, Белоус В.М.1
1Научно-исследовательский институт физики, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 15 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

С помощью метода, позволяющего измерять изменения коэффициента поглощения и показателя преломления регистрирующей среды непосредственно в процессе формирования трехмерной голограммы, изучен механизм высокотемпературной записи объемных голограмм в материалах состава As-S. Установлено наличие нескольких конкурирующих фотоиндуцированных процессов записи. Показано, что устойчивая высокотемпературная запись в образцах As-S стехиометрического состава и с избытком серы обусловлена диффузией D0-центров.