Механизмы высокотемпературной голографической записи в материалах состава As--S
Тюрин А.В.1, Попов А.Ю.1, Мандель В.Е.1, Белоус В.М.1
1Научно-исследовательский институт физики, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 15 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
С помощью метода, позволяющего измерять изменения коэффициента поглощения и показателя преломления регистрирующей среды непосредственно в процессе формирования трехмерной голограммы, изучен механизм высокотемпературной записи объемных голограмм в материалах состава As-S. Установлено наличие нескольких конкурирующих фотоиндуцированных процессов записи. Показано, что устойчивая высокотемпературная запись в образцах As-S стехиометрического состава и с избытком серы обусловлена диффузией D0-центров.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М. (1982). Т. 2. 663 с
- Шварц К.К. Физика оптической записи в диэлектриках и полупроводниках. Рига (1986). 232 с
- Белоус В.М., Мандель В.Е., Попов А.Ю., Тюрин А.В. Опт. и спектр. 76, \it 1, 105 (1994)
- Street R.A. Solid State Commun. 39, 2, 263 (1981)
- Biegelsen D.K., Street R.A. Phys. Rev. Lett. 44, \it 12, 803 (1980)
- Туряница И.И., Семак Д.Г. Фундаментальные основы оптической памяти и среды. Киев (1979). В. 10, 69 с
- Краснов В.Ф., Ремесник В.Г. Автометрия 3, \it 6, 101 (1980)
- Коломиец Б.Т., Любин В.М., Федоров В.А. Письма в ЖТФ 5, \it 1, 3 (1979)
- Дьяченко Н.Г., Стыс Л.Е., Тюрин А.В., Цукерман В.Г., Шевелева А.С. Фотохимические процессы регистрации голограмм. Л. (1983). 84 с
- Дьяченко Н.Г., Ремесник В.Г., Трофименко М.Ю., Тюрин А.В., Цукерман В.Г., Шевелева А.С. УФЖ 27, \it 8, 1147 (1982)
- Стыс Л.Е. Успехи науч. фотографии 26, 41 (1990)
- Карнатовский В.Е., Наливайко В.И., Цукерман В.Г. Квантовая электрон. 3, \it 1, 219 (1976)
- Дьяченко Н.Г., Карнатовский В.Е., Мандель В.Е., Тюрин А.В., Цукерман В.Г., Шевелева А.С. Журн. научн. и прикл. фото- и кинематографии 5, 385 (1979)
- Дьяченко Н.Г., Карнатовский В.Е., Мандель В.Е., Тюрин А.В., Цукерман В.Г., Шевелева А.С. Автометрия 3, 78 (1979)
- Дьяченко Н.Г., Попов А.Ю., Тюрин А.В., Шевелева А.С. УФЖ 28, \it 5, 742 (1983)
- Стыс Л.Е., Фойгель М.Г. ФТП 19, 2, 217 (1985)
- Street R.A., Mott N.F. Phys. Rev. Lett. 35, \it 22, 1293 (1975)
- Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Phys. Rev. Lett. 37, \it 2, 1504 (1976)
- Стыс Л.Е., Фойгель М.Г. ФТП 13, 11, 2087 (1979)
- Шевелева А.С. Автореф. канд. дис. Одесса (1983). 19 с
- Дьяченко Н.Г., Попов А.Ю., Трофименко М.Ю., Тюрин А.В., Шевелева А.С. ФТП 16, \it 10, 1872 (1982)
- Семак Д.Г., Марьян М.И., Микла В.И. Фундаментальные основы оптической памяти и среды. Киев (1987). В. 18, 52 с
- Семак Д.Г., Кикинеши А.А., Туряница И.И. Журн. науч. и прикл. фото- и кинематографии 2, 138 (1977)
- Гуревич С.Б., Ильяшенко И.Н., Коломиец Б.Т. Структура и свойства некристаллических полупроводников. Л. (1976). 455 с
- Полинг Л. Общая химия. М. (1973). 683 с
- Любин В.М., Федоров В.А. ФТТ 26, \it 8, 2315 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук