При температуре 15 K исследована зависимость спектров экситонной люминесценции слоев GaAs, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии, от плотности возбуждающего излучения (He-Ne-лазер). Исследованы сверхлинейный рост интенсивности и существенное уширение линий свободных и связанных экситонов при изменении мощности возбуждения от 0.01 до 3 mW. На основании анализа концентрационных изменений ширины экситонных линий сделан вывод о том, что основным механизмом уширения является сокращение времени фазовой релаксации экситонов за счет рассеяния на фотовозбужденных носителях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.