Впервые показано, что в обратносмещенном контакте сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) с пассивированной водородом поверхностью n-Si может реализовываться транзисторный режим работы. Его возникновение связано с выявленной возможностью накопления неосновных носителей (дырок) у таким образом приготовленной поверхности Si. Обнаружено, что освещение СТМ-контакта позволяет управлять инжекцией электронов в зону проводимости посредством изменения концентрации дырок у поверхности аналогично тому, как это делается в планарном Оже-транзисторе с туннельным металл-окисел-полупроводник (МОП) эмиттером. При большом смещении на туннельном зазоре имеет место инжекция горячих электронов, которые вызывают Оже-ионизацию в Si, приводящую к бистабильности СТМ-контакта и связанному с ней гистерезису. Состояние с высокой плотностью тока при этом поддерживается за счет внутреннего источника дырок - Оже-процесса. Полученные результаты показывают, что СТМ-контакт с полупроводниковой поверхностью может рассматриваться как точечная модель туннельной МОП-структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.