Вышедшие номера
Влияние легирующей примеси на образование структурных дефектов в CdTe, облученном электронами и ионами
Логинов Ю.Ю.1, Браун П.Д.1, Хамфрейс К.Дж.1
1Красноярский государственный университет, Красноярск, Россия
Поступила в редакцию: 24 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Методами просвечивающей (ПЭМ) высокоразрешающей электронной микроскопии (ВРЭМ), а также слабого пучка исследовано влияние легирующей примеси Cu, P, In и Cl на образование структурных дефектов в CdTe, облученном ионами Ar+ и I+ с энергиями 3-5 keV, а также электронами с энергией 400 keV. Обнаружено, что в легированных образцах кроме ''обычных'' дислокационных петель формируются пластинчатые выделения, которые по данным анализа муарового контраста представляют собой соединения типа примесь-Cd в CdTe(P) и примесь-Te в CdTe(In, Cu).