Построена теоретическая модель механизма возбуждения ионов эрбия в кристаллическом кремнии при оптической и электрической накачке. Основным этапом процесса возбуждения является оже-рекомбинация экситона, связанного на донорном уровне, образующемся при введении иона эрбия в полупроводниковую матрицу. Решение системы кинетических уравнений, описывающих баланс свободных электронов, свободных экситонов, связанных экситонов и возбужденных ионов эрбия, позволяет найти зависимости концентраций свободных и связанных экситонов и возбужденных ионов эрбия от температуры и уровня накачки. Модель объясняет экспериментально наблюдаемые зависимости интенсивностей люминесценции свободных экситонов и ионов эрбия от уровня возбуждения и существование корреляции между этими зависимостями, а также температурную зависимость уровня насыщения люминесценции ионов эрбия и температурное гашение этой люминесценции. Показано, что основной причиной температурного гашения люминесценции ионов эрбия является ионизация донорного центра, образованного ионом эрбия, что препятствует связыванию на этом центре свободного экситона.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.