Самосогласованный расчет глубоких уровней вакансий Ge и S в GeS методом функций Грина
Джахангирли З.А.1,2
1Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: cahanzakir@yahoo.com
Поступила в редакцию: 2 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.
На основе теории функций Грина в базисе локализованных орбиталей рассмотрена электронная структура локальных дефектов. Обсуждены электронные состояния в запрещенной зоне, резонансы и изменение электронной плотности в кристалле с дефектом.
- М. Ланно, Ж. Бургуэн. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. Мир, М. (1984). 264 с
- P. Kruger, J. Pollamann. Phys. Rev. B 38, 10 578 (1988)
- J. Bernholc, N.O. Lipari, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B 21, 3545 (1980)
- O.V. Farberovich, A. Yaresko, K. Kikoin, V. Fleurov. Phys. Rev. B 78, 085 206 (2008)
- Ф.М. Гашимзаде, В.Е. Харциев. ФТТ 4, 434 (1962)
- G.B. Bachelet, D.R. Hamann, M. Sсhluter. Phys. Rev. B 26, 4199 (1982)
- В. Хейне, М. Коэн, Д. Уэйр. Теория псевдопотенциала. Мир, М. (1973). 557 с
- D.J. Chadi. Phys. Rev. B 16, 3572 (1977)
- F.M. Gashimzade, D.G. Guliyev, D.A. Guseinova, V.Y. Shteinshrayber. J. Phys.: Cond. Matter 4, 1081 (1992)
- L. Makinistian, E.A. Albanesi. Phys. Rev. B 74, 045 206 (2006).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
