Вышедшие номера
Экспериментальное и теоретическое исследование электронной структуры полупроводников CdS, InP, InPS 4, CuGaS 2, AgGaS 2
Лаврентьев А.А.1, Никифоров И.Я.1, Колпачев А.Б.1, Габрельян Б.В.1
1Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Экспериментально, методом рентгеновской спектроскопии, и теоретически, с использованием кластерной версии приближения локального когерентного потенциала, исследовано электронно-энергетическое строение алмазоподобных полупроводников CdS, InP, InPS4, CuGaS2 и AgGaS2. Найдено распределение по энергии валентных электронных состояний и предложено объяснение некоторых особенностей химической связи в этих соединениях. В верхней части валентной полосы CdS, InPS4, CuGaS2 и AgGaS2 велика доля p-состояний S, а в InP - p-состояний P, взаимодействующих с валентными состояниями соответствующих партнеров этих элементов по соединению. Сделан вывод о преобладании ковалентной составляющей в химической связи In-P в InP, в то время как в связи Cd-S в CdS и, особенно, в связи P-S в InPS4 наряду с ковалентной имеется также значительная доля ионной составляющей. В верхней части валентной полосы CuGaS2 и AgGaS2 обнаружено значительное смешивание (гибридизация) заполненных d-состояний благородного металла (Cu, Ag) и делокализованных p-состояний серы, что, несомненно, связано с ковалентным характером химической связи атома S и атома благородного металла. Вместе с тем, трехгорбое расщепление по энергии p-состояний S и d-состояний благородного металла указывает на резонансный характер их взаимодействия.