Стабилизация междоузельных радиационных дефектов в одноосно сжатых при 80 K кристаллах KBr
Бекешев А.1, Васильченко Е.1, Шункеев К.1, Эланго А.1
1Институт физики, ЕЕ Тарту, Эстония
Поступила в редакцию: 21 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
На примере кристалла KBr с содержанием примеси Na+ на уровне 10-4 молярных долей показано, что понижение симметрии кристаллической решетки в результате приложения напряжения одноосного сжатия по направлениям <100> и <110> существенно изменяет процесс стабилизации междоузельных H-центров, возникающих при X-облучении при 80 K в напряженном образце. При приложении напряжения практически исчезает дальнодействующее упругое притяжение между H-центрами, что отражается в существенном падении эффективности создания Br3--центров. Стабилизация H-центров при этом осуществляется в результате усиления локализации H-центров около примесных ионов Na+. В ненапряженном кристалле последний процесс при использованной концентрации Na+ весьма незначителен. В отличие от миграции H-центров, которая становится ориентированной и облегчается от приложения напряжения, миграция электронных возбуждений, напротив, затрудняется, и наблюдаются эффекты, которые могут быть объяснены более быстрой автолокализацией электронных возбуждений в напряженных кристаллах.
- Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М. (1989). 264 с
- А.А. Каплянский. Опт. и спектр. 16, 4, 602 (1964)
- D. Bimberg, W. Dultz, W. Gebhardt. Phys. Stat. Sol. 31, 661 (1969)
- А.З. Бекешев, Е.А. Васильченко, Е.Т. Сармуханов, К.Ш. Щункеев, А.А. Эланго. ФТТ 36, \it 2, 330 (1994)
- К. Щункеев, Е. Васильченко, А. Эланго. ЖПС 62, \it 3, 156 (1995)
- N. Itoh. J. Phys. Coll. 37, C7 (1976)
- Н.А. Яансон, Р.И. Гиндина, Ч.Б. Лущик. ФТТ 16, \it 2, 379 (1974)
- A.A. Elango, T.N. Nurakhmetov. Phys. Stat. Sol. (b) 78, 529 (1976)
- A. Dauletbekova, A. Elango. Phys. Stat. Sol. (b) 108, 299 (1981)
- K. Tanimura, T. Okada, T. Suita. Solid State Commun. 13, \it 4, 471 (1973)
- И.А. Парфианович, Э.Э. Пензина. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск (1977). 208 с
- C.R.A. Catlow, K.M. Diller, L.W. Hobbs. Phil. Mag. A42, 123 (1980)
- K. Bachmann, H. Peisl. J. Phys. Chem. Sol. 31, \it 7, 1525 (1970)
- A. Lushchik, I. Kudrjavtseva, Ch. Lushchik, E. Vasil'chenko, M. Kirm, I. Martinson. Phys. Rev. B52, \it 14, 10069 (1996)
- Н.Н. Кристофель. Опт. и спектр. 7, \it 1, 78 (1959); Тр. ИФА АН ЭССР 15, 3 (1961)
- В.А. Кучин, В.Л. Ульянов. Упругие и неупругие свойства кристаллов. М. (1986). 134 с
- Р.Д. Дохнер. В сб.: VI Всесоюз. конф. по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига (1986). С. 20--23
- Ч.Б. Лущик, Р.И. Гиндина, Н.Е. Лущик, М.М. Таийров, К.Ш. Шункеев. Тр. ИФ АН ЭССР 53, 146 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук