Экспериментально изучались напряжения течения и развитие дислокационной структуры при деформировании по одной системе кристаллографических плоскостей радиационно упрочненных слоистых кристаллов LiF. Оказалось, что при постоянном соотношении поперечных размеров облученных и необлученных областей предел текучести образца линейно зависит от времени облучения t, а при t=const линейно возрастает с увеличением размера облученной зоны. Пластическая деформация в слоистых кристаллах осуществляется путем зарождения и развития полос скольжения в ''мягких'' областях с последующим проникновением в ''жесткие'' области. При набегании на границу винтовых дислокаций их плотность в облученной области резко возрастает. В краевых полосах скольжения плотности дислокационных ямок травления в разных областях примерно одинаковы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.