Вышедшие номера
Полярное рассеяние двумерных электронов в квантовых ямах (О б з о р)
Мирлин Д.Н.1, Родина А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Проанализированы особенности полярного взаимодействия электронов с оптическими фононами в двумерных структурах. Приведены результаты экспериментального исследования электрон-фононного взаимодействия в структурах с квантовыми ямами типа GaAs/AlAs и GaAs/GaAlAs методами спектроскопии горячей фотолюминесценции. По энергетическим потерям в спектре горячей люминесценции непосредственно определяются энергия и моды фононов, вносящих основной вклад в процесс энергетической релаксации. Сравниваются результаты для структур с разным составом и ширинами барьеров. В рамках диэлектрической континуальной модели проведены расчеты скорости рассеяния электронов на фононах различных мод. Экспериментальные результаты находятся в удовлетворительном согласии с этими расчетами.