Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сегрегация мышьяка на поверхности арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 14 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.
Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии выполнено сравнительное исследование арсенида галлия, выращенного с избыточным содержанием мышьяка (1.5%) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (LTMBE-GaAs), и обычного арсенида галлия. Обнаружен эффект сегрегации избыточного мышьяка на поверхности LTMBE-GaAs, приводящий к образованию пленки толщиной в несколько атомных слоев. Измерен фотоэлектронный спектр валентных электронов этой квазидвумерной пленки, отражающий распределение плотности состояний валентных электронов. Показано, что уровень Ферми практически совпадает с краем заполненных состояний, что свидетельствует о наличии у пленки свойств металла. Определены высота разрыва зон спонтанно образованной наноструктуры GaAs/As и высота потенциального барьера Шоттки, которые оказались равными 0.5±0.1 eV.
- F.W. Smith, A.R. Calawa, Chang-Lee Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. IEEE Electron-Devices Lett. 9, 77 (1988)
- M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett. 54, 1831 (1989)
- Н.А. Берт. А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Пребраженский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ 35, \it 10, 2609 (1993)
- D.C. Look, D.C. Walters, C.E. Stutz, K.R. Evans, J.R. Sizelove. J. Appl. Phys. 71, \it 12, 5981 (1992)
- D.C. Look, J.T. Grant, J.R. Sizelove. Appl. Phys. Lett. 61, \it 11, 1329 (1992)
- H. Shen, F.C. Rong, R. Lux, J. Pamulapati, M. Taysing-Lara, M. Dutta, E.H. Poindexter. Appl. Phys. Lett. 61, \it 13, 1585 (1992)
- A.C. Warren, J.M. Woodall, P.D. Kirchner, X. Yin, F. Pollak, M.R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam. Phys. Rev. B 46, \it 8, 4617 (1992)
- Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация. Наука. М. (1983). 360 с
- J.A. Taylor. J. Vac. Sci. Technol. 20, 751 (1982)
- S. Aksela, S. Sivonen. Phys. Rev. A 23, 1243 (1982)
- C.R. Brundle, D. Seybold. J. Vac. Sci. Technol. 16, 1186 (1979)
- Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Пер. с англ. под ред. Д.Бриггса и М.П.Сиха. Мир. М. (1987). 600 с
- G. Margaritondo. Surf. Sci. 168, 439 (1986)
- R.W. Grant, J.R. Waldrop, S.P. Kowalczyk, E.A. Kraut. Surf. Sci. 168, 498 (1986)
- Y. Mizokawa, H. Iwasaki, R. Nishitani, S. Nakamura. J. Electron Spectrosc. 14, 129 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
