Вышедшие номера
Тонкие сегнетоэлектрические пленки: получение и перспективы интеграции
Сигов А.С.1, Мишина Е.Д.1, Мухортов В.М.2
1Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
2Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: mishina_elena57@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Рассматриваются свойства тонких пленок (Ba,Sr)TiO3 и BiFeO3 и наноструктур на их основе. Пленки изготавливаются методом высокочастотного распыления в атмосфере кислорода с повышенным давлением, наноструктуры - методом фокусированного ионного травления; электрическое поле прикладывается в планарной структуре встречно-штыревых электродов. Исследуются структура, диэлектрические, электро-оптические и нелинейно-оптические свойства полученных образцов в широком диапазоне толщин и частот электрического поля. Показана высокая эффективность планарного переключения и его влияния на оптические свойства полученных структур. Наноструктурирование позволяет изменять диэлектрические и оптические свойства исследуемых материалов и таким образом увеличивать диапазон переключения функциональных параметров. Работа поддержана РФФИ (гранты N 09-02-00254, 09-02-01403, 08-02-12031) и Министерством образования и науки РФ (АВЦП проекты N 2.1.1/587, 2.1.2/494).