На основе метода псевдопотенциала и феноменологической модели сил связи исследовано рассеяние электронов на коротковолновых и длинноволновых фононах в сверхрешетках (GaAs)_m(AlAs)_n(001) с ультратонкими слоями (n,m=1,2,3). Определены деформационные потенциалы для междолинных переходов электронов в зонах проводимости сверхрешеток и твердых растворов соответствующих составов. Показано, что вследствие локализации волновых функций в квантовых ямах Gamma, L и X междолинные переходы электронов в сверхрешетках в целом интенсивнее аналогичных переходов в твердых растворах. В ряду сверхрешеток с ростом доли легких атомов Al деформационные потенциалы монотонно увеличиваются для переходов типа X-X и уменьшаются для переходов типа L-L, X-L. Потенциалы переходов типа Gamma-X и Gamma-L изменяются в зависимости от толщины слоев немонотонно за счет выраженных эффектов размерного квантования в глубоких Gamma квантовых ямах GaAs. Усредненные по фононам и родственным долинам деформационные потенциалы в сверхрешетках близки к соответствующим потенциалам в твердых растворах. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 080200640-а и Рособразования N 01.2.007 01695.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.