Вышедшие номера
Внутреннее трение в стеклообразных полупроводниках системы Ge-As-Se
Биланич В.С.1, Онищак В.Б.1, Макауз И.И.1, Ризак В.М.1
1Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
Email: vbilanych@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Методом внутреннего трения исследованы процессы релаксации в стеклах системы Ge-As-Se. В области температур 180-280 K выявлен релаксационный процесс, который может быть классифицирован как beta-процесс релаксации. Сделано предположение о том, что изменение величины максимума внутреннего трения в этом температурном интервале в зависимости от химического состава связано с изменением концентрации структурных единиц, обусловливающих beta-релаксацию в данных материалах. Обнаружено интенсивное возрастание энергии активации alpha-процесса релаксации исследованных стекол системы Ge-As-Se в области среднего координационного числа Z=2.6.