Вышедшие номера
Особенности электронно-стимулированной десорбции атомов цезия из системы Cs/CsAu/Au/W
Агеев В.Н.1, Кузнецов Ю.А.1, Потехина Н.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kuznets@ms.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Продолжается изучение электронно-стимулированной десорбции атомов Cs с поверхности вольфрама, на которую при температуре T=300 K адсорбировались пленки цезия и золота. Ранее было показано, что десорбция атомов Cs начинается лишь после нанесения на поверхность вольфрама более одного монослоя золота и более одного монослоя цезия. В этом случае на поверхности вольфрама при 300 K образуется покрытие, состоящее из адслоя золота на вольфраме, соединения CsAu, обладающего полупроводниковыми свойствами, и монослоя цезия, покрывающего соединение CsAu (Cs/CsAu/Au/W). Выход атомов Cs из такой системы имеет резонансную зависимость от энергии падающих электронов Ee с порогом появления 57 eV и максимумом 64 eV. При этом десорбция атомов Cs происходит по двум каналам, один из которых связан с десорбцией атомов Cs из монослоя цезия, а другой - из слоя CsAu. Исследуется изменение выхода атомов Cs при Ee=64 eV в обоих каналах десорбции при напылении добавочной концентрации цезия на уже сформированную слоистую систему Cs/CsAu/Au/W, а также влияние отжига системы на выход и энергораспределения атомов Cs. Показано, что атомы Cs, напыляемые при 300 K на слоистое покрытие с монослоем цезия поверх слоя CsAu на вольфраме с адслоем золота, не отражаются от монослоя цезия и не адсорбируются на нем, но проникают сквозь монослой цезия в объем CsAu даже при одном слое CsAu. Выход десорбции с ростом концентрации цезия не меняется при 300 K, но постепенно уменьшается при 160 K. Отжиг в диапазоне температур 320=<q TH=<q 400 K разрушает монослой цезия и однослойное покрытие CsAu, но многослойное соединение CsAu в этом интервале температур не разрушается даже после испарения монослоя цезия. Показано, что выход атомов Cs из многослойного соединения CsAu происходит главным образом из верхнего слоя CsAu. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 07-02-00284).