Вышедшие номера
Влияние параметров дельта<Mn>-легирования GaAs-барьера на циркулярно поляризованную люминесценцию гетероструктур GaAs/InGaAs
Дорохин М.В.1, Зайцев С.В.2, Бричкин А.С.2, Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1, Звонков Б.Н.1, Кулаковский В.Д.2, Прокофьева М.М.1, Шолина А.Е.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

Исследована циркулярная поляризация низкотемпературной электролюминесценции диодов на основе гетероструктур с нелегированной квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельта<Mn>-слоем в GaAs-барьере. Изучена возможность изменения степени циркулярной поляризации электролюминесценции путем варьирования основных конструкционных параметров диодов (толщины спейсерного слоя, т. е. расстояния между дельта<Mn>-слоем и квантовой ямой, концентрации атомов в дельта<Mn>-слое, введения дополнительного акцепторного дельта-слоя). Найдено, что наиболее эффективным способом управления степенью циркулярной поляризации электролюминесценции является изменение толщины спейсерного слоя. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ (N 07-02-00486, 08-02-97038 p_поволжье), CRDF (BP4M01), программы "Развитие научного потенциала высшей школы" (РНП 2.2.2.2/4297), программы фундаментальных исследований Президиума РАН N 27 "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов" и ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России".
  1. A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. Lett. 95, 017 201 (2005)
  2. С.В. Зайцев, М.В. Дорохин, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский. Письма в ЖЭТФ 90, 10, 730 (2009)
  3. R.C. Myers, A.C. Gossard, D.D. Awschalom. Phys. Rev B 69, 161 305 (2004)
  4. M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, V.D. Kulakovskii, O.V. Vikhrova, S.V. Zaitsev, B.N. Zvondov. J. Phys. D.: Appl. Phys. 41, 245 110 (2008)
  5. H. Nemec, A. Pashkin, P. Kuhel, M. Khazan, S. Schnoll, I. Wilke. J. Appl. Phys. 90 1303 (2001)
  6. H. Ohno. Science 281, 951 (1998)
  7. M.J. Wilson, G. Xiang, B.L. Sheu, P. Schiffer, N. Samarth, S.J. May, A. Bhattacharya. Appl. Phys. Lett. 93, 262 502 (2008)
  8. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Дёмина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн. 75, 56 (2008)
  9. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand. Science 287, 1019 (2000)
  10. K.W. Edmonds, P. Boguslawski, K.Y. Wang, R.P. Campion, S.N. Novikov, N.R.S. Farley, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M. Buongiorno Nardelli, J. Bernholc. Phys. Rev. Lett. 92, 037 201 (2004)
  11. A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. B 67, 241 308 (2003)
  12. M.V. Dorokhin, B.N. Zvonkov, Yu.A. Danilov, V.V. Podolskii, P.B. Demina, O.V. Vikhrova, E.I. Malysheva, M.V. Sapozhnikov. Int. J. Nanosci. 6, 221 (2007)
  13. О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин. Письма в ЖТФ 35, 14, 8 (2009)
  14. V.F. Sapega, M. Moreno, M. Ramsteiner, L. Daweritz, K.H. Ploog. Phys. Rev. Lett. 94, 137 401 (2005)
  15. О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, М.М. Прокофьева, Ю.Н. Дроздов, М.В. Сапожников. Изв. АН. Сер. физ. 73, 16 (2009)
  16. А.Я. Шик. ФТП 26, 1161 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.