Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Туннелирование электронов с сохранением поперечного волнового вектора в системе Au/CaF₂/Si(111)

Векслер М.И.¹, Илларионов Ю.Ю.¹, Сутурин С.М.¹, Федоров В.В.¹, Соколов Н.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: nsokolov@fl.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 24 февраля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены эпитаксиальные слои фторида кальция на кремнии ориентации (111), в которых наблюдался туннельный перенос электронов с сохранением поперечной компоненты импульса. Достигнуто хорошее соответствие между результатами моделирования и данными измерений. Подробно изложена процедура, лежащая в основе проведения расчетов. Полученные пленки пригодны для применения в качестве барьерных слоев в различных приборах твердотельной электроники. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ.

A. Gehring, S. Selberherr. J. Comp. Theor. Nanosci., 2, 1, 26 (2005)
Л. Эсаки. УФН 116, 4, 569 (1975)
A. Schenk. Advanced physical models for silicon device simulations. Springer, Wien--N.Y. (1998). 349 p
M. Sugiyama, M. Oshima. Microelectron. J. 27, 4--5, 361 (1996)
A. Klust, T. Ohta, A.A. Bostwick, E. Rotenberg, Q. Yu, F.S. Ohuchi, M.A. Olmstead. Phys. Rev. B 72, 204 336 (2005)
Ю.Ю. Илларионов, М.И. Векслер, С.М. Сутурин, В.В. Федоров, Н.С. Соколов. Письма в ЖТФ 36, 9, 26 (2010)
M.I. Vexler. Solid State Electron. 47, 8, 1283 (2003)
M.I. Vexler, S.E. Tyaginov, A.F. Shulekin. J. Phys.: Cond. Matter 17, 50, 8057 (2005)
L.F. Register, E. Rosenbaum, K. Yang. Appl. Phys. Lett. 74, 3, 457 (1999)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. Мир, М. (1984). Кн. 2. 456 с
M.I. Vexler, N.S. Sokolov, S.M. Suturin, A.G. Banshchikov, S.E. Tyaginov, T. Grasser. J. Appl. Phys. 105, 083 716 (2009)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990). 688 с
Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем. Пер. с англ. Мир, М. (1985). 416 с
L.J. Schowalter, R.W. Fathauer. CRC Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 15, 367 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель