Диэлектрические свойства кристаллов ZnSe, выращенных из расплава
Чугай О.Н.1, Герасименко А.С.2, Комарь В.К.2, Морозов Д.С.1, Олейник С.В.1, Пузиков В.М.2, Ризак И.М.1, Сулима С.В.2
1Харьковский национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского, Харьков, Украина
2НТК "Институт монокристаллов" НАН Украины, Харьков, Украина
Email: komar@isc.kharkov.ua
Поступила в редакцию: 17 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
В низкочастотной области измерены частотные и температурные зависимости действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости кристаллов ZnSe, выращенных из расплава. Установлено различие свойств образцов кристаллов в зависимости от их удаленности от начала кристаллического слитка. Различие свойств объяснено определяющим влиянием на поляризацию точечных дефектов, образование которых связано с отклонением состава от стехиометрического, остаточными примесями и напряжениями в кристаллах.
- М.П. Кулаков, А.В. Фадеев. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 17, 1565 (1981)
- М.П. Кулаков, Г.А. Меерович, В.Н. Уласюк, А.В. Фадеев, И.Ш. Хасанов. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 19, 1807 (1983)
- S. Malabika, B. Ramendranayan. J. Phys. Chem. Solids 43, 633 (1982)
- А.Н. Краснов, Т.Ф. Форбанг, Ю.Ф. Ваксман. Письма в ЖТФ 19, 1, 89 (1993)
- Ф. Крёгер. Химия несовершенных кристаллов. Мир, М. (1989). 504 с
- А.А. Андреев, Н.Д. Борисенко, А.В. Коваленко, А.Я. Якунин. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 17, 1162 (1981)
- J.F. Wang, A. Omino, M. Issiki. J. Cryst. Growth 229, 69 (2001)
- I. Strzalkowski, S. Joshi, V.R. Crowell. Appl. Phys. Lett. 28, 350 (1976)
- Дж. Най. Физические свойства кристаллов. Мир, М. (1967). 385 с
- A.K. Jonscher. Phys. Status Solidi B 88, 585 (1977)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 380 с
- А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский. В кн.: Физика соединений AIIBVI. Наука, М. (1986). 320 с
- Л.В. Атрощенко, С.Ф. Бурчас, А.П. Гальчинецкий, Б.В. Гринев, В.Д. Рыжиков, Н.Г. Старжинский. Кристаллы сцинцилляторов и детекторы ионизирующих излучений на их основе. Наук. думка, Киев (1998). 310 с
- Е.М. Гаврищук. Неорган. материалы 39, 1031 (2003)
- Б.И. Шкловский. ФТП 6, 1197 (1972)
- Ю.И. Равич, С.А. Немов. ФТП 36, 3 (2002)
- В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, М.М. Нукенов, Н.А. Семиколенова. ФТТ 50, 236 (2008)
- Ю.М. Поплавко. Физика диэлектриков. Вища шк., Киев (1980). 400 с
- А.П. Оконечников, Н.Н. Мельник. ФТП 26, 1659 (1992)
- А.П. Оконечников, Н.Н. Мельник. ФТП 28, 1472 (1994)
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. Металлургия, М. (1984). 256 с
- В.К. Комарь, В.А. Корниенко, В.П. Мигаль, М.Ш. Файнер, О.Н. Чугай. Письма в ЖТФ 20, 10, 71 (1994)
- О.Н. Чугай, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, С.Л. Абашин, Е.В. Еселева, О.В. Науменко, С.В. Сулима. Неорган. материалы 40, 408 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук