Проводится подробный теоретико-групповой анализ энергетических состояний прямых и непрямых свободных и связанных на изоэлектронном центре экситонов в кубических полупроводниках A₃B₅. Получены правила отбора и определены относительные интенсивности оптических переходов в экситонные состояния с участием и без участия фононов. Расчеты выполнены с учетом эффектов короткодействующего обменного взаимодействия электрона и дырки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.