На основе экспериментов по облучению в высоковольтном электронном микроскопе исследован процесс формирования скоплений междоузельных атомов в кристаллах Si с большой концентрацией атомов B и P. Показана сильная зависимость данного процесса от типа примеси и условий для стока точечных дефектов на поверхность. На этом основании обсуждаются механизмы взаимодействия точечных дефектов с атомами примесей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.