Методами оптической спектроскопии с временным разрешением 7 нc для ряда щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) изучены закономерности создания и разрушения первичных центров окраски при импульсном облучении электронами (E=0.25 МэВ, t_n=10 нc, флюенс P=7.6·10¹¹ эл. · см^-2). Определены значения выхода eta и характеристического времени разрушения tau короткоживущих F,H-пap центров окраски и автолокализованных экситонов (АЛЭ) в диапазоне температур 80-400 K. Установлена корреляция между процессами образования устойчивых и короткоживущих F-центров в группе кристаллов хлоридов и бромидов К и Rb, аналогичная известной корреляции между созданием F-центров и АЛЭ триплетного типа в NaCl и иодидах щелочных металлов. Предложена общая для ЩГК модель распада двухгалоидных АЛЭ на дефекты, в соответствии с которой тип взаимосвязи термоактивированных процессов (создания устойчивых F-центров, тушения pi-люминесценции и образования короткоживущих F,H-пap) определяется относительным расположением энергетических минимумов. двух состояний АЛЭ - pi-излучательного и соответствующего промежуточной паре дефектов, - связанных общей потенциальной поверхностью. Выявлены закономерности в ряду ЩГК, устанавливающие наличие связи между характеристиками дефектообразования (eta_F, eta_э, tau_F, tau_э, E_p и E_T) и кристаллическими параметрами (отношением длины двухгалоидного ядра АЛЭ к межанионному расстоянию).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.