Исследуются низкочастотные (omegatau<<1, tau - время релаксации импульса) краевые магнитоплазменные колебания (КМК) в 2D электронном канале гетероструктуры GaAs-AlGaAs. Показано, что в зависимости от формы диэлектрика, на котором находится электронный 2D канал, колебание может быть как распределенным, так и локализованным у края 2D канала. Впервые проведены измерения низкочастотных КМК в условиях, допускающих сравнение с теоретическими расчетами. Определен размер области вблизи границы 2D канала, в которой сосредоточен заряд КМК. Обсуждаются возможные механизмы, определяющие локализацию заряда КМК у края 2D канала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.