Влияние легирования медью на зарядовое упорядочение в La1/3Ca2/3Mn1-yCuyO3 (0=< y=<0.07)
Орлова Т.С.1, Laval J.Y.2, Monod Ph.2, Захвалинский В.С.3, Егоров В.М.1, Степанов Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Laboratoire de Physique du Solide, CNRS ESPCI, Paris, France
3Белгородский государственный университет, Белгород, Россия
Email: orlova.t@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.
Влияние легирования медью на зарядово-орбитальное упорядочение в La1/3Ca2/3Mn1-yCuyO3 (0=< y=<0.07) изучалось путем измерения температурных зависимостей намагниченности, электросопротивления и теплоемкости в комбинации с электронно-микроскопическим исследованием структуры. Показано, что легирование медью приводит к уменьшению температуры зарядового упорядочения TCO, при этом величина TCO понижается пропорционально уменьшению концентрации ионов Mn3+. В температурной области 5-300 K полупроводниковый характер сопротивления сохраняется для всех значений 0=< y=<0.07. Электронно-микроскопические исследования показали, что присутствие меди начиная уже с малых концентраций (y=0.01) подавляет формирование регулярной сверхструктуры, характерной для нелегированного исходного соединения. Дифференциальная сканирующая калориметрия обнаружила значительное уменьшение энтропии перехода при зарядовом упорядочении в легированных медью образцах по сравнению с исходным соединением. Легирование медью нарушает дальнодействующее зарядово-орбитальное упорядочение, сохраняя, по-видимому, лишь ближний порядок. PACS: 75.47.Lx, 68.37.Lp
- Colossal magnetoresistance oxides / Ed. Y. Tokura. Gordon and Breach, N. Y. (2000)
- J. Cocy, M. Viret, S. Molnar. Adv. Phys. 48, 167 (1999)
- M.B. Salamon, M. Jaime. Rev. Mod. Phys. 73, 583 (2001)
- Ю.А. Изюмов, Ю.Н. Скрябин. УФН 171, 2, 121 (2001)
- В.М. Локтев, Ю.Г. Погорелов. ФНТ 26 , 3, 231 (2000)
- E. Dagotto, H. Hotta, A. Moreo. Phys. Rep. 344, 1 (2001)
- E.L. Nagaev. Colossal magnetoresistance and phase separation in magnetic semiconductors. Imperial College Press, London (2002)
- C. Zener. Phys. Rev. 82, 403 (1951)
- J.P. Goodenough. Phys. Rev. 100, 564 (1955)
- G.C. Milward, M.J. Calderon, P.B. Littlewood. Nature 433, 607 (2005)
- M. Coey. Nature 430, 154 (2004)
- C.H. Chen, S.-W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 76, 4042 (1996)
- C.H. Chen, S.-W. Cheong, H.Y. Hwang. J. Appl. Phys. 81, 1326 (1997)
- J. Herrero-Martin, J. Garcia, G. Subias, J. Blasco, M. Concepcion Sanchez. Phys. Rev. B 70, 024 408-1 (2004)
- J. Garcia, M. Concepcion Sanchez, J. Blasco, G. Subias, M. Grazia Proietti. J. Phys.: Cond. Matter 13, 3243 (2001)
- G. Van Tendeloo, O.I. Lebedev, M. Herview, B. Raveau. Rep. Prog. Phys. 67, 1315 (2004)
- Y. Jo, J.-G. Park, C.S. Hong, N.H. Hur, H.C. Ri. Phys. Rev. B 63, 172 413 (2001)
- T.S. Orlova, J.Y. Laval, P. Monod, J.G. Noudem, V.S. Zahvalinskii, V.S. Vikhnin, Yu.P. Stepanov. J. Phys.: Cond. Matter 18, 6729 (2006)
- R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, P.A. Petrenko, J. Salminen, V.N. Stamov, V.S. Zakhvalinskii. J. Phys.: Cond. Matter 12, 5751 (2000)
- R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, P.A. Petrenko, V.N. Stamov, V.S. Zakhvalinskii. J. Magn. Magn. Mater. 213, 271 (2000)
- M.C. Wu, J. Chen, X. Jin. Physica C 276, 132 (1997)
- P.G. Radeaelli, D.E. Cox, L. Capogna, S.-W. Cheong, M. Marezio. Phys. Rev. B 59, 14 440 (1999)
- T. Sudyoadsuk, R. Suryanarayanan, P. Winotai, L.E. Wenger. J. Magn. Magn. Mater. 278, 96 (2004)
- M.R. Ibarra, J.M. De Teresa, J. Blasco, P.A. Algarabel, C. Marquina, J. Garcia, J. Stankiewicz, C. Ritter. Phys. Rev. B 56, 8252 (1997)
- S.B. Ogale, R. Shreekala, R. Bathe, S.K. Date, S.I. Patil, B. Hannoyer, F. Petit, G. Marest. Phys. Rev. B 57, 7841 (1998)
- A.P. Ramirez, P. Schiffer, S.-W. Cheong, C.H. Chen, W. Bao, T.T.M. Plasta, P.L. Gammel, D.J. Bishop, B. Zegarski. Phys. Rev. Lett. 76, 3188 (1996)
- A.P. Ramirez, S.-W. Cheong, P. Schiffer. J. Appl. Phys. 81, 5337 (1997)
- M.T. Fernandez-Diaz, J.L. Martinez, J.M. Alonso, E. Herrero. Phys. Rev. B 59, 1277 (1999)
- Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1983). 240 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.