Приведены результаты экспериментальных исследований изменения проводимости кристаллов n-Ge при T=2/ 4.2 K, стимулированного потоками неравновесных акустических фононов. Исследовались некомпенсированные образцы с концентрациями N_d^Sb = 2·10¹⁶ и N_d^As=1.5·10¹⁷ см^-3, близкими к переходу Мотта. Изменение проводимости сопоставлялось с времяпролетными спектрами неравновесных фононов в этих же кристаллах. Показано, что приложение одноосного давления вдоль < 111> направления влияет как на акустическую прозрачность кристалла, так и на величину и характер фононопроводимости. В Ge : Sb при P>4· 10⁸ дин/см² изменение тока однозначно связано с участием акустических фононов в прыжковой проводимости. Результаты в Ge : As анализируются с привлечением малоизученного неупругого механизма поглощения фононов при переходе электрона их связанного состояния в Д^- зону. Обнаружено аномально сильное поглощение T₁A фононов в кристалле Ge : As.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.