Рассмотрено нерезонансное поглощение энергии высокочастотного электрического поля в легкоплоскостных антиферромагнитных полупроводниках и диэлектриках, обладающих магнитоэлектрическим эффектом. Проведено сравнение различных каналов поглощения электрической и магнитной компонент поля. Установлено, что в антиферромагнитных диэлектриках основной вклад в поглощение дает магнитная компонента электромагнитной волны. Показано, что высокочастотное электрическое поле может стимулировать слабый ферромагнитный момент легкоплоскостного антиферромагнитного полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.