Методом резерфордовского обратного рассеяния и каналирования ионов He изучены процессы восстановления кристаллической структуры и перераспределения примесей при кратковременном термическом отжиге монокристаллического 6HSiC, имплантированного ионами Ga⁺ с энергией 40 и 90 кэВ. Показано, что кратковременный (~5 с) термический отжиг (1900-2200 K) приводит к полной рекристаллизации имплантированных слоев 6HSiC при дозах менее критических. В случае больших доз структурное совершенство слоев повышается по мере увеличения количества галлия, испаренного из слоя при отжиге. Предложено описывать наблюдаемые изменения в профилях распределения Ga при отжиге в рамках модели, учитывающей три процесса: сегрегацию Ga в аморфной фазе SiC при эпитаксиальной рекристаллизации, селективную диффузию Ga только в аморфном SiC, также испарение Ga с поверхности SiC. Проведены численные расчеты согласно предложенной модели отжига.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.