Теоретически изучено поглощение ИК излучения в дырочных полупроводниках с вырожденной валентной зоной при наличии рассеяния дырок на заряженных примесях, акустических и оптических фононах. Получена общая формула для коэффициента поглощения при наличии рассеяния, которая переходит в известное выражение для коэффициента поглощения при прямых переходах, если устремить к нулю вероятности рассеяния. Для случая низких температур (ему отвечает поглощение при непрямых фотопереходах) получены аналитические зависимости коэффициента (сечения) поглощения от частоты кванта излучения, температуры и параметров полупроводника. В широком интервале температур и частот указанные зависимости рассчитывались численно для p-германия при различных значениях концентрации примесей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.