Резонансная экситонная люминесценция GaAs: переход от поляритонной модели к модели независимых экситонов и фотонов
Жиляев Ю.В., Россин В.В., Россина Т.В., Травников В.В.
Выставление онлайн: 20 мая 1990 г.
Впервые при исследовании резонансной экситонной люминесценции GaAs экспериментально наблюдался температурный переход от случая, характерного для сильного экситон-фотонного взаимодействия (поляритонная модель), к случаю, характерному для слабого экситон-фотонного взаимодействия (приближение независимых экситонов и фотонов). Этот переход происходит при температуре ~=20 K, когда величина затухания экситонов достигает критического значения.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.