Приведены результаты измерений относительного выхода LVV- и KLL-оже-электронов кремния, подтверждающие важную роль фотоэлектронов в генерации мягких оже-электронов. Получены угловые зависимости выхода K-фото-, LVV-, KLL-ожеэлектронов из кристалла кремния с аморфной пленкой на поверхности, которые независимо доказывают, что использование мягких оже-электронов в методе СРВ практически дает информацию о структуре кристалла на глубине выхода фотоэлектронов

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.