Новый механизм черенковского усиления спиновых волн дрейфующими носителями заряда в ферромагнитном полупроводнике
Солин Н.И., Ауслендер М.И., Шумилов И.Ю., Самохвалов А.А.
Выставление онлайн: 20 июля 1990 г.
Исследовано влияние постоянного электрического поля на порог продольной накачки спиновых волн при 77 K в монокристаллах ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4 n-типа с малым для этого класса материалов затуханием спиновых волн. Обнаружено уменьшение порога накачки в некотором интервале электрических полей, ширина которого зависит от магнитного поля. Этот эффект наблюдается в узком интервале магнитных полей и объясняется магнитоэлектрическим взаимодействием электронов проводимости со спиновыми волнами. Развита теория магнитоэлектрического затухания спиновых волн в условиях дрейфа носителей, и на ее основе рассчитаны зависимости порога продольной накачки от электрического поля для параметров, исследуемого образца. При разумном выборе двух подгоночных параметров эти зависимости удовлетворительно описывают экспериментальные результаты.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.