Предлагается модель электронного строения реального оксида тантала. Показано, что флуктуации ближнего порядка в атомном строении материала приводят к возникновению в запрещенной щели оксида глубоких электронных состояний, по которым осуществляется прыжковый перенос электронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.