Образование периодических структур дислокаций при лазерном воздействии на поверхность полупроводников
Банишев А.Ф., Володин Б.Л., Емельянов В.И., Мерзляков К.С.
Выставление онлайн: 20 августа 1990 г.
Обнаружено явление образования периодических структур дислокаций при воздействии мощного (P~=100 Вт, lambda=1.06 мкм) лазерного излучения на поверхность монокристалляческой пластины кремния. Дано теоретическое объяснение обнаруженного явления на основании развития дислокационно-деформационной неустойчивости. Выводы теории хорошо согласуются с результатами эксперимента.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.