Релаксация и накопление радиационных дефектов в эпитаксиальных слоях PbSe при alpha-облучении
Фреик Д.М., Миколайчук А.Г., Огородник Я.В., Салий Я.П., Фреик А.Д.
Выставление онлайн: 20 августа 1990 г.
Исследовано влияние облучения alpha-частицами с энергией ~5 МэВ интегральными дозами до Phi=2·1012 см-2 на изменение структурных характеристик пленок халькогенидов свинца. На дозовых зависимостях структурных параметров эпитаксиальных слоев выявлены две области: до доз 1· 1011 см-2 (малые дозы) и > 2· 1011 см-2 (большие дозы). Если в области малых доз характерно улучшение параметров реальной структуры, то в области больших доз наблюдается значительный рост микронапряжений, мозаичности, плотности дислокаций, а также диспергирование слоя. Экспериментальные результаты объясняются конкурирующим влиянием при облучении процессов релаксации неравновесности и накопления радиационных дефектов.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.