Развита теория стационарной спиновой поляризации заряженных парамагнитных примесей в полупроводниках под действием неполяризованной оптической подсветки. Эффект связан с обменным взаимодействием между спином парамагнитной примеси и спином захваченного на орбиту большого радиуса электрона. Такое взаимодействие приводит к появлению в запрещенной зоне уровней комплекса заряженная парамагнитная примесь + электрон. Спиновая поляризация возникает в результате спин-зависящих захватов электронов на такие уровни и избирательной спин-решеточной релаксации на них. Показано, что определяющую роль при такой релаксации играет спин-решеточное взаимодействие парамагнитного остова комплекса. Рассмотренная модель позволила объяснить основные результаты эксперимента для Si : Cr⁺.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.