Исследована зависимость энергии основного состояния пространственно-ограниченных экситонов и биэкситонов в квантово-размерных микрокристаллах от скачка диэлектрической проницаемости на границе полупроводник-стекло. Расчет, учитывающий вырождение валентной зоны, проводился в двух предельных случаях: малой и большой величины спин-орбитального расщепления валентной зоны Delta (Delta=0 и Delta = бесконечность). Показано, что в микрокристаллах малого размера суммарная энергия двух пространственно-ограниченных экситонов меньше, чем энергия пространственно-ограниченного биэкситона, что означает отрицательность энергии связи" биэкситона. Скачок диэлектрической проницаемости на границе полупроводник-стекло ослабляет этот эффект для основного терма биэкситона (состояния с полным моментом дырок J=2 для Delta = бесконечность и J=1 для Delta=0) и усиливает для возбужденных термов. Получены зависимости энергетических спектров пространственно-ограниченных экситонов и биэкситонов от радиуса микрокристалла для разных значений скачка диэлектрической проницаемости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.