Краевое излучение ZnSe при взаимодействии носителей заряда и плазмон-фононных возбуждений
Вавилов В.С., Клюканов А.А., Сенокосов Э.А., Чиботару Л.Э., Чукичев М.В.
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.
Исследована катодолюминесценция эпитаксиальных пленок ZnSe при высоких уровнях возбуждения в широком температурном интервале. Показано, что спектральное положение полос излучения определяется взаимодействием электронно-дырочной пары с продольными оптическими фононами и плазмонами. Рассчитана форма бесплазмонной полосы и ее LO-фононного повторения и найдено, что при высоких температурах интенсивность однофононного повторения становится выше интенсивности бесфононной полосы. Развита теория многоплазмонной люминесценции с учетом смешивания фононов и плазмонов и показано, что при низких концентрациях электрон и дырка взаимодействуют как с нижней, так и с верхней ветвью плазмон-фононных колебаний, тогда как при высоких концентрациях свободных носителей заряда взаимодействие с нижней ветвью исчезает благодаря экранировке полей ионов плазмой. Благодаря кулоновскому взаимодействию в плазме обе полосы при высоких уровнях возбуждения являются широкими настолько, что LO-фононная структура не разрешается.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.