Исследованы температурные зависимости скоростей распространения и поглощения ультразвуковых волн в слоистых полупроводниках TlInS₂ и TlGaSe. Полученные результаты интерпретированы на основе представлений о существовании в указанных кристаллах фазовых переходов в сегнетоэлектрическую соразмерную фазу через промежуточную несоразмерную.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.