Из сравнения сверхпроводников на основе висмутатов и полупроводников A^IVB^VI, легированных элементами III^б группы, а также купратных сверхпроводников следует, что 1) двухэлектронные квазилокализованные состояния, образующиеся при диспропорционировании s¹-ионов (2s¹-> s⁰+s²), могут стимулировать сверхпроводимость; 2) для образования сверхпроводящего состояния в висмутатах и полупроводниках A^IVB^VI нужно, чтобы уровень Ферми располагался внутри полосы двухэлектронных состояний, т. е. чтобы были ионы и s⁰, и s² в более или менее равной концентрации. Однако важно, чтобы эти ионы не образовывали структуру с дальним или ближним порядком, при котором плотность двухэлектронных состояний на уровне Ферми уменьшается и может быть равной нулю; 3) одноэлектронные (зонные) носители тока необходимы, так как помогают ликвидировать щель в спектре двухэлектронных состояний; 4) хотя механизм образования пар в висмутатах и в слоях CuO₂ купратов различен, образование квазилокализованных пар в слоях TlO или BiO высокотемпературных купратов облегчает обмен парами между слоями CuO₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.