Рассмотрено влияние подвижных заряженных дефектов на аномалии термодинамических величин в окрестности точек фазовых переходов второго рода в одноосных сегнетоэлектриках. Вычислена флуктуационная поправка к теплоемкости, которая имеет вид T_c^3/2n^1/2|T-T_c|^-1/2 в отличие от логарифмической поправки для случая бездефектных кристаллов. Проводится сравнение с результатами, полученными для случая статических заряженных дефектов. Определена область применимости излагаемой теории.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.