Рассмотрено рассеяние электронов, туннелирующих через двухбарьерный гетеропереход (ДБГП) на нейтральных примесях. Рассчитана плотность тока протуннелировавших носителей. При энергиях носителей, близких к энергии резонансного уровня, сечение рассеяния на примеси в ДБГП значительно превышает сечение рассеяния в объемном кристалле. Это связано с возрастанием амплитуды волновой функции в яме при этих энергиях. Уширение резонансного пика и уменьшение его максимума с ростом концентрации становятся заметными при относительной концентрации примесей порядка 10^-6-10^-5. Эффект следует учитывать уже для стехиометрических дефектов, всегда присутствующих в бинарных соединениях. Численный счет проведен для ДБГП Al_0.4Ga_0.6As/GaAs/Al_0.4Ga_0.6As.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.