Методом фотоэлектронной спектроскопии показано, что химический состав приповерхностной области свежеприготовленных пленок As₂Se₃, AsSe, As₃Se₂ одинаков. В циклах облучение-отжиг происходят обратимые изменения состава поверхности и значений энергии связей 3dSe, а также положения края валентной зоны (на 0.2 эВ), которое коррелирует с данными по фотопотемнению пленок. Сделан вывод о том, что структура и состав приповерхностной области пленок, а также фотоструктурные превращения в ней существенно отличаются от таковых в толще пленки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.