Вышедшие номера
Об идентификации симметрии глубокого уровня по спектральной зависимости сечения фотоионизации
Пахомов А.А., Имамов Э.З.
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Показано, что наличие резкого максимума в спектральной зависимости сечения фотоионизации дефекта с глубоким уровнем при переходах в валентную зону прямозонных полупроводников A3B5 является следствием того, что глубокое состояние имеет симметрию A1. Обсуждается возможность использования этого факта для идентификации глубоких A1-состояний.