Влияние дефектов тонкого слоя оксида кремния на процессы силицидообразования в системе Fe/SiO2/Si(001)
Балашев В.В.1,2, Коробцов В.В.1,2, Писаренко Т.А.1,2, Чусовитин Е.А.1
1Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
2Институт физики и информационных технологий Дальневосточного государственного университета, Владивосток, Россия
Email: balashev@mail.dvo.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.
Рассмотрена кинетика структуры и фазового состава системы Fe/SiO2/Si(001) при различных условиях осаждения слоя Fe и последующего отжига. Установлено, что тонкий слой (~1 nm) SiO2 не разрушается в процессе осаждения Fe в широком диапазоне температур от 20 до 650oC, в результате чего пленки Fe различной морфологии формируются на поверхности оксида. При отжиге происходит разрушение слоя SiO2 в дефектных местах, что приводит к взаимодействию атомов Fe с подложкой Si с последующим образованием силицидов железа. Работа выполнена при поддержке гранта Дальневосточного отделения Российской академии наук (N 06-III-В-02-046) и проекта Научная школа (НШ-993.2008.2). PACS: 61.05.jh, 64.70.kg, 68.35.Fx, 68.37.Ps, 68.55.-a
- M.G. Garnier, T. de los Arcos, J. Boudaden, P. Oelhafen. Surf. Sci. 536, 130 (2003)
- F. Maeda, E. Laffose, Y. Watanabe, S. Suzuki, Y. Homma, M. Suzuki, T. Kitada, T. Igiwara, A. Tanaka, M. Kimura, V.A. Michai, H. Yoshikawa, S. Fukushima. Physica E 24, 19 (2004)
- J.M. Simmons, B.M. Nichols, M.S. Marcus, O.M. Castellini, R.J. Hamers, M.A. Eriksson. Small 2, 902 (2006)
- A. Cao, P.M. Ajayan, G. Ramanath, R. Baskarah, K. Turner. Appl. Phys. Lett. 84, 109 (2004)
- Y. Homma, Y. Kobayashi, T. Ogino, D. Takagi, R. Ito, Y.J. Jung, P.M. Ajayan. J. Phys. Chem. B 107, 12 161 (2003)
- Jung Inn Sohn, Shei-Jong Choi, Seonghoon Lee, Tae-Yeon Seong. Appl. Phys. Lett. 78, 3130 (2001)
- Y.Y. Wang, S. Gupta, R.J. Nemanich. Appl. Phys. Lett. 85, 2601 (2004)
- W.K. Wong, C.S. Lee, S.T. Lee. J. Appl. Phys. 97, 084 307 (2005)
- T. de los Arcos, F. Vonau, M.G. Garnier, V. Thommen, H.-G. Boyen, P. Oelhafen, M. Duggelin, D. Mathis, R. Guggenenheim. Appl. Phys. Lett. 80, 2383 (2002)
- C. Chemelli, D. D'Angelo, G. Girarzidi, S. Pizini. Appl. Surf. Sci. 68, 173 (1993)
- Asuha, T. Kobayashi, O. Maida, M. Inoue, M. Takahashi, Y. Todokoro, H. Kobayashi. Appl. Phys. Lett. 81, 3410 (2002)
- F. Maeda, H. Hibino, S. Suzuki, Y. Kobayashi, Y. Watanabe, F.Zh. Guo. e-J. Surf. Sci. Nanotech. 4, 15 (2005)
- H. Dallaporta, M. Liehr, J.E. Lewis. Phys. Rev. B 41, 5075 (1990)
- M. Liehr, H. Lefakis, F.K. LeGoues, G.W. Rubloff. Phys. Rev. B 33, 5517 (1986)
- F. Conforto, P.E. Schmid. Phil. Mag. A 81, 61 (2001)
- A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986)
- N. Minami, D. Makino, T. Matsumura, C. Egawa, T. Sato, K. Ota, S. Ino. Surf. Sci. 514, 211 (2002)
- A.A. Istratov, H. Vainola, W. Hubner, E.R. Weber. Semicond. Sci. Technol. 20, 568 (2005)
- Y. Kobayashi, Y. Shinida, K. Sugii. Jpn. J. Appl. Phys. 29, 1004 (1990)
- Y. Kobvayashi, K. Sigii. J. Vac. Sci. Technol. B 9, 748 (1991)
- A.A. Shklyaev, M. Ichikawa. Phys. Rev. B 65, 045 307 (2001)
- X. Wallart, J.P. Nys, C. Tetelin. Phys. Rev. B 49, 571(1994)
- R. Pretorius, J.M. Harris, M.-A. Nicolet. Solid-State Electron. 21, 667 (1978)
- A. Schmidt, H. Eggers, K. Herwig, R. Anton. Surf. Sci. 349, 301 (1996)
- M. Liehr, H. Dallaporta, J.E. Lewis. Appl. Phys. Lett. 53, 589 (1988)
- N.C. Bartelt, W. Theis, R.M. Tromp. Phys. Rev. B 54, 11 741 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук