Изучалась угловая зависимость эмиссии различных линий SiII и SiI, излучаемых при распаде возбужденных состояний атомов и однозарядных вторичных ионов, образующихся при бомбардировке кремния ионами аргона с энергией 8 кэВ. Установлено, что при облучении грани (111)Si анизотропия угловой зависимости ИФЭ более выражена для линии, соответствующей излучению частицы с меньшей энергией возбуждения. В случае аморфизованной поверхности кремния крутизна угловой зависимости ионно-фотонной эмиссии SiII и SiI убывала в последовательности: SiII 545, 413, 624, 504, 385 нм, SiI 727, 390 нм, соответствующей, как правило, уменьшению энергии возбуждения относительно основного состояния (исключение составляет линия SiII 413 нм). Проводится обсуждение полученных закономерностей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.