Генерация и кинетика выхода фото- и Оже-электронов в полупроводниках под действием рентгеновских лучей
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.
Настоящая работа посвящена теоретическому и экспериментальному анализу механизма непрямого возбуждения мягких Оже-электронов за счет электронной ионизации атомов на примере кристалла Ge, облучаемого MoKalpha-излучением. Подробно рассмотрен процесс генерации этих Оже-электронов, приведено решение кинетического уравнения для электронов, а также экспериментальные данные, подтверждающие решающую роль непрямых процессов в генерации мягких Оже-электронов.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.