Приведены кластерные расчеты электронной структуры идеальных кристаллов La₂O₃ и F⁺-, F-центров в них. Расчеты проводились методом рассеянных волн (ССП-РВ) в приближениях кристаллического и внедренного кластера. Использована полуэмпирическая схема коррекции погрешности функционала локальной плотности в оценке E_g для идеального кристалла в рамках принятой схемы внедрения кластера в кристалл. Обсуждаются проблемы сходимости результатов в зависимости от размера кластеров и размерности используемого базиса. Полученные данные о структуре заполненных зон кристалла La₂O₃ хорошо согласуются с экспериментальными данными. Рассчитаны возможные энергии поглощения F⁺- и F-центров в приближении ФЛП. Сделан вывод о возможной гибридизации возбужденных состояний F⁺-, F-центров с 4f-состояниями La, формирующими дно зоны проводимости в идеальном кристалле La₂O₃.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.