Рассматриваются особенности строения пленок PbSnTe, выращенных в вакууме до 10^-9 Торр методом молекулярно-лучевой эпитаксии на химически полированных подложках (100) и (111) BaF₂. Подложки перед ростом отжигались в вакууме при T до ~ 1000 К. Химический состав подложек контролировался Оже-спектроскопией. Методами электронной микроскопии устанавливаются зависимость плотности дефектов и их распределение по объему в зависимости от особенностей роста. Проведены оценки напряжений в границах блоков.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.