Исследованы механизмы токопереноса в структурах высоколегированный (10¹⁹ см^-3) p⁺-поликремний-туннельно-прозрачный слой SiO₂-p-кремний. Толщина выращенного по низкотемпературной технологии бездефектного туннельно-тонкого окисла варьировалась от 20 до 52 Angstrem. При T=77 K прямые вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур в области ограничения тока туннельной проводимостью диэлектрика имеют резко выраженный пороговый характер, что связано с переходом приповерхностной области полупроводника в состояние обогащения. При этом основные носители (дырки) туннелируют из аккумуляционного дырочного слоя через окисел в p⁺-поликремний. Наблюдаемое сильное уменьшение наклона ВАХ с ростом толщины окисла главным образом связано с уменьшением вероятности туннелирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.