Предложена модель самораспространяющегося заглубленного расплава, возникающего при плавлении аморфных полупроводников наносекундными лазерными импульсами. Рассмотрены необходимые условия его существования. Показано, что скорость распространения заглубленного расплава ограничена сверху значением 14-16 м/с. Продемонстрирована связь характеристик расплава (скорость распространения, толщина) с кинетическими коэффициентами плавления и кристаллизации материала. Рассмотрена устойчивость заглубленного расплава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.