Исследованы спектры ФЛ и ВФЛ короткопериодических (=< 20 Angstrem) сверхрешеток (СР) a-Si/SiO₂ при непрерывном и пикосекундном лазерном возбуждении. Наблюдается существенное увеличение (в ~= 10⁴ раз) интенсивности примесной люминесценции (2.1 эВ) a-SiO₂ в СР по сравнению с отдельными слоями a-SiO₂, обусловленное переносом возбужденных носителей между слоями СР. Обнаружена люминесценция при переходах между первыми и вторыми подзонами c- и v-зон слоев a-Si в СР. Релаксация возбужденных носителей между подзонами одной зоны не наблюдается. Обнаружена рекомбинация носителей с участием состояний подзон слоев a-Si и примесных состояний a-SiO₂. Доказательств влияния квантоворазмерных эффектов на глубокие примесные состояния в a-SiO₂ не обнаружено. Быстрая безызлучательная рекомбинация в слоях a-Si CP приводит к отсутствию люминесценции этих слоев при непрерывном возбуждении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.